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电子元器件详细资料 » IC[28363] » STS19N3LLH6
型号:STS19N3LLH6类别:FET - 单制造商:STMicroelectronics
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
系列STripFET™ DeepGATE™
制造商STMicroelectronics
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C19A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C5.6 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs17nC @ 15V
输入电容(Ciss)0a0Vds1690pF @ 25V
功率_最大2.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装剪切带 (CT)

供应商

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深圳市易信优科技有限公司陈佳隆0755-23914006/18318877587
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